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　　 近日，电子科技大学微电子与固体电子学院2009级本科生司佳同学以第一作者在电子器件领域国际权威期刊IEEE Trans. Electron Devices上发表论文“Electric Field Distribution Around Drain-Side Gate Edge in AlGaN/GaN HEMTs: Analytical Approach”（作者：Si, J. （司佳）; Wei, J.（魏进） ; Chen, W. （陈万军）; Zhang, B.（张波））。
　　 这篇论文是司佳同学参加大学生创新基金和本科毕业设计成果的总结凝练。论文研究了氮化镓功率器件中栅极边缘高电场的产生机理，利用复变函数的方法对其进行数学建模，并通过计算机仿真验证了模型的正确性。对GaN功率器件的设计，长期以来只能通过实验进行尝试，该模型弥补了理论上的缺失。

　　 IEEE Trans. Electron Devices是电子器件领域国际顶级刊物，在中国科学院JCR分区表中为二区杂志。近年来司佳同学所在的张波教授课题组连续在IEEE Trans. Electron Devices和电子器件领域另一国际顶级刊物IEEE Electron Device Letter上发表了30余篇论文，其中2012年张波教授带领团队在IEEE Electron Device Letter上发表论文7篇，论文发表量并列全国第一，全球第三。

　　 2013年9月，该论文的前两名学生作者（司佳和魏进）将分别在北京大学与香港科技大学继续攻读学位。