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7月20－22日，IEEE MTT-S IMWS-AMP 2016（IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series on Advanced Materials and Processes for RF and THz Applications）在成都举行，来自英国、美国、加拿大、新加坡、澳大利亚、意大利等国家，以及电子科技大学、清华大学、北京大学、上海交通大学、东南大学等国内外微波及太赫兹研究领域的200余名专家学者参加会议。本次会议由电子科技大学电子工程学院主办，无线技术与集成系统国际联合实验室、IEEE MTT Society、IEEE AP Society、IEEE Chengdu Section等单位协办。我校电子工程学院院长樊勇教授担任大会主席，程钰间教授担任大会技术委员会主席。
电子科技大学副校长熊彩东教授、樊勇教授、IEEE MTT Society Chair吴柯教授分别在会议开幕式上致辞，对来自世界各地的专家学者表示热烈欢迎，希望通过此次学术会议，促进国内外研究人员和科研机构之间的合作与交流。
本届会议讨论的主题涉及范围广、深度深，涵盖包括碳纳米管、2D电子和光电子器件、新型半导体材料等10项国内外热门前沿学科。会议期间，几位国内外知名学者受邀作大会主题报告。美国里海大学James Hwang教授作主题为“Phosphorene FET–New Microwave Transistor Based on a few Layers of Phosphorus Atoms”的大会报告；加拿大蒙特利尔大学Ke Wu教授大会报告的主题为“Parametric Tunability, Functional Controllability and Systematic Reconfigurability for Smart 5G Wireless and Internet of Things”；英国帝国理工学院Stepan Lucyszyn教授作主题为“An Engineering Approach Towards Creating Ubiquitous THz Applications”的大会报告；浙江大学Wenyan Yin教授围绕“Multiphysics Methods: Capabilities, Opportunities and Challenges”的主题进行了介绍；华为公司Renato Lombardi作的大会报告主题为“Millimeter-wave above 90 GHz in Future Wireless Communication Network”；北京大学Yufeng Jin教授就“TSV, TGV, and TXV based 3D Integration Technology and Applications”进行了探讨。
IEEE MTT-S IMWS AMP 2016为期三天，为国内外相关领域学者提供了一个交流平台和合作空间，来自海内外的研究人员就射频与太赫兹先进材料与工艺领域的最新研究展开深入交流。本次国际会议的成功举办有效地加强了学校相关研究人员与国内外一流学者的交流，一定程度上推动了射频与太赫兹先进材料与工艺研究的发展，提升了我校的国际学术影响力。
IEEE MTT-S IMWS AMP是由IEEE微波技术与理论协会发起的关于应用于射频与太赫兹的先进材料与工艺的国际会议。第一届会议由新加坡国立大学苏州研究院主办，于2015年7月在苏州举行。下一届会议将由意大利Pavia大学主办，于2017年7月在意大利Pavia举行。
编辑：林坤 / 审核：林坤 / 发布：林坤
