校园时讯

　　10月27日下午，中国科学院院士郑耀宗来到清水河校区访问，并受聘为我校发展战略咨询委员会委员。校党委副书记王亚非代表李言荣校长为郑耀宗院士颁发聘书。

　　王亚非代表学校对郑耀宗院士来校访问表示热烈欢迎，对郑院士长期以来对学校的关心和支持表示衷心感谢，并介绍了学校60周年建设发展等情况。他说，郑院士是微电子领域的著名专家，又曾长期担任世界著名高校校长，在治学和治校方面都取得一流成就。电子科大在总结过去60年办学经验的同时，也在展望下一个甲子的发展蓝图，这就特别需要郑院士这样的战略科学家为学校发展建言献策，加快推动“双一流”大学建设步伐。

　　郑耀宗对电子科技大学60周年校庆表示祝贺，对学校一个甲子取得的成绩表示肯定。他说，60年是一个新的起点，电子科大在电子信息领域很有声誉，形成了自己的特色，十分高兴受聘为电子科技大学发展咨询委员会委员，自己一定会支持电子科大的发展，分享自己担任香港城市大学和香港大学校长期间的管理经验，为学校高层次师资队伍的建设、人才培养质量和科技创新能力的提升等贡献力量。

　　据悉，郑耀宗院士还同时受聘为我校特聘讲席教授（Distinguished Professor-at-Large）。

　　微电子与固体电子学院院长张怀武、人力资源部部长胡俊等参加聘任仪式。

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　　郑耀宗，我国著名微电子学专家。原籍广东中山，生于香港。曾任香港大学校长、教授。长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。他是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。1999年当选为中国科学院院士。