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　　11月30日，美国密歇根大学孙凯研究员应我校物理电子学院邀请作学术访问交流，在科研楼作题为“Introduction to Electron Magnetic Circular Dichroism in a TEM”的学术报告，报告由向霞教授主持。来自各学院的老师、本科生、研究生以及外国留学生参加报告会。

　　孙凯研究员简要介绍了准晶的磁性研究尚未解决的问题和存在的争议，以此为出发点介绍了透射电子显微中电子磁致二向色性（EMCD）技术的物理概念、电子衍射晶体学设置以及该技术同相对成熟的XMCD技术对比的优势。随后他介绍了运用基于STEM模式的EMCD实验设置以及在GaMn准晶GrN/MgO多层薄膜方面取得的初步研究成果，返现了GaMn/CrN界面处的独特铁磁/反铁磁耦合作用机制。孙凯研究员展示结果表明，其在实验上实现了2纳米尺度表征材料局部磁畴分布。本次报告的物理学意义和电子显微技术的前瞻性令与会老师和同学耳目一新，拓展了大家在材料磁学性质的微观表征方面的学术视野，会后，大家与孙凯研究员展开热烈讨论，并就自身在科研中遇到的问题和孙老师展开交流。孙凯研究员细致地回答与会人员提出的各种问题，并表示欢迎学校老师和同学到他的研究组访问学习，深入开展合作交流。

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　　孙凯研究员毕业于大连理工大学，之后在瑞典斯德哥摩尔大学阿累尼乌斯实验室和美国芝加哥诺伊大学做助理研究员，2003年以后一直在密歇根大学电子微束分析实验室工作。具有20年透射电子显微分析经验，对各种材料包括金属和合金、绝缘材料、高分子材料，表面涂层，多层膜，生物材料等的电子显微镜分析有着丰富的经验。他已在Science, Nano Letters, Advanced Materials等期刊发表190篇SCI论文，50多篇会议论文，并出版2本专著，同时担任30多种国际期刊的审稿人。