成电讲堂

　　4月6日，我校发展战略咨询委员会委员、香港大学原校长、香港城市大学原校长、中国科学院院士郑耀宗教授做客我校名师讲堂，与成电师生分享香港电子信息学科和产业发展历程，介绍成长成才的经验。微电子与固体电子学院钱凌轩副教授主持讲座。

　　郑耀宗院士从自己的成长历程谈起，指出奋斗的重要性。他介绍说，怀着“君子当自强不息，厚德载物”的信念，将家境不佳当作自己成长的动力，自己中学时期学习成绩从班上倒数一跃成为全班最优秀。在大学直到博士时期，他选择了半导体器件、晶体管研究，也是一直以此为人生目标，希望能在某个领域专注、钻研，做出自己的贡献。当20世纪七十年代他博士毕业从加拿大返港探亲时，发现电子信息产业在香港正如火如荼地发展，从此下定决心，要为香港、为中国的电子信息领域做出自己的贡献。

　　郑耀宗院士在上世纪八十年代成为教授，并很快出任香港大学工程学院院长，1989年就任香港城市理工学院（现香港城市大学）院长，见证了香港电子信息产业的腾飞、发展的瓶颈期和转型。随着香港回归，香港的技术、经验辐射到大陆，带动了电子信息产业的发展，技术的创新和新的发明，又反过来推动了香港电子信息产业的进步。几十年来，内地和香港始终维持着这种良性互动。他也鼓励在场的青年教师和学生，去香港走走看看，与香港的高校、企业、资本打交道，香港是中国的窗口，在不同的思维碰撞中，可以得到新的收获。

　　在提问交流环节，师生们就香港的微电子学科环境，香港大学、香港科技大学等著名高校的发展趋势与潜力，人生面临重大抉择时的权衡等问题与郑耀宗院士互动。在场师生表示，郑院士对于香港的发展、电子信息科学的发展有深刻的体会和独到的见解，讲座拓展了大家的思维，有助于大家树立远大的志向、确定成长目标。

　　本次讲堂由人力资源部教师发展中心主办，微电子与固体电子学院承办。

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　　郑耀宗，我国著名微电子学专家。原籍广东中山，生于香港。曾任香港城市大学校长、香港大学校长、教授。长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。他在国际上首先提出MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。他是较早开展氮化硅技术的研究者之一，在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。1999年当选为中国科学院院士。2016年，郑耀宗院士受聘为我校发展战略咨询委员会委员，任我校特聘讲席教授。

　　名师讲堂由人力资源部教师发展中心主办，于2014年启动，定期邀请国内外知名专家学者、国家级教学名师等来校作专题学术报告，旨在加强广大师生与知名学术大师间的学术思想交流与碰撞，促进青年教师成长，开拓学生视野。