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宫玉彬教授应邀在第十九届国际真空电子学会议作特邀报告
文:陈颖 图:陈颖 来源:电子学院 时间:2018-05-03 8890

  由IEEE电子器件学会主办的第十九届国际真空电子学会议(19th IEEE International Vacuum Electronics Conference)于4月23日至26日在美国蒙特雷召开。会议共安排四个大会特邀报告(Plenary talk),我校电子科学与工程学院宫玉彬教授应邀作特邀报告,向与会专家介绍了中国真空电子学的发展。这是继刘盛纲院士后,我校学者第二次在国际真空电子学会议上作大会特邀报告。

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  宫玉彬教授多年来致力于宽带大功率行波管、新型慢波结构毫米波行波管、太赫兹真空电子器件、波与等离子体互作用以及电磁生物效应等方面的研究。鉴于其在真空电子学领域的学术影响力,IEEE电子器件委员会特邀宫玉彬教授在本次会议上作题为“The Developments of Vacuum Electronics in China”(真空电子学在中国的发展现状)的特邀报告。宫玉彬教授在报告中详细介绍了电子科技大学在真空电子学专业的人才培养体系、中国如何激励年轻科学家从事真空电子学方面的研究、微波电真空器件国家级重点实验室在基础研究方面作出的探索等方面的内容。

  电子科学与工程学院李斌教授、蒙林教授、段兆云教授、巩华荣教授等20多位我校代表也参加了本次会议。除宫玉彬教授作特邀报告外,我校还有近50篇研究论文被接收作口头或张贴报告,相关工作得到了国际电真空器件领域学者的高度评价,大家对电子科技大学在发挥真空电子学领域重要科学研究和人才培养中心作用方面给予积极评价。

  国际真空电子学会议是国际电真空器件领域规模最大、水平最高、影响力最强的学术会议。据统计,本次共接收文章250多篇,其中中国学者文章接收比例约40%。


编辑:罗莎  / 审核:林坤  / 发布:陈伟