德州奥斯汀大学Alex Q Huang教授谈宽禁带半导体功率器件电子科技大学成电新闻网

分享到微信 ×

打开微信“扫一扫”
即可将网页分享至朋友圈

德州奥斯汀大学Alex Q Huang教授谈宽禁带半导体功率器件

文：倪祖旭图：倪祖旭来源：电子学院时间：2018-07-10 5691

　　7月6日下午，美国德州奥斯汀大学教授、IEEE Fellow、我校杰出校友Alex Q. Huang做客电子论坛，为师生带来“Wide Bandgap (WBG) Power Devices and Their Impacts On Power Delivery Systems”的专题讲座。

　　Alex Q. Huang教授的硕士导师陈星弼院士、中科院半导体所的老师、我校相关研究方向的老师以及来自双校区多个学院的学生参加了讲座，现场气氛热烈。

　　新型半导体材料SiC和GaN作为研究热点越来越受到人们的关注，但是要从理论研究转化为产品应用还有诸多难题需要攻克，这是当前该领域研究的重点和难度。Alex Q. Huang教授主要从宽禁带半导体器件的发展现状和与硅基器件在性能层面的对比作为切入点，结合实际应用展示了宽禁带半导体在不同耐压级别、高频、高温应用环境的优势和潜能，并介绍了基于宽禁带功率器件的应用模块实例。