成电讲堂

　　8月14日上午，应电子科学与工程学院段兆云教授的邀请，IEEE Fellow、APS Fellow、美国威斯康星大学麦迪逊分校John H. Booske教授和IEEE Fellow、美国密西根州立大学John P. Verboncoeur教授来我校进行学术交流，分别作题为“An Accurate Method for, and Result of, Measuring Material Conductivities in The Terahertz Frequency Regime”和“Particle Simulation of Plasmas: Review and Advances”的学术讲座。

　　Booske教授介绍了在太赫兹频段，趋肤深度小于半导体表面粗糙度从而导致了Drude模型的不可靠。他介绍了一种精确测量0.3-1.0 THz之间金属和半导体电导率的方法，以及实验测试结果与预测模型之间的比较。实验结果表明，对于高度掺杂的半导体而言，Drude模型可以相当精确地表征介质电导率；对于较低掺杂的半导体，需要考虑声子散射以及能量相关散射率的更复杂的预测模型；金属表面电导率最好结合直接测量的直流电导率以及Hammerstad-Bekkadal模型来计算表面粗糙度影响。

　　Verboncoeur教授介绍，自1960年以来，对于等离子体的粒子仿真已经历了数代发展, 受益于计算机技术的飞速进步以及电视游戏的推动作用，粒子仿真技术已经成功应用于相当广泛的范围，包括低温放电条件下的准中性等离子体以及加速器和微波源中的电子束等非中性等离子体。Verboncoeur教授回顾了PIC（particle in cell）仿真的基础方法和关于场、粒子互作用、边界条件、电路、原子团、分子碰撞以及其他诸多物理模型的仿真方法的发展历程，重点介绍了不同物理条件下等离子体系统数值仿真方法的发展、目前所面临的机遇和挑战。

　　两位教授的讲解让在场师生受益匪浅，在座师生就毫米波及太赫兹频段器件加工工艺、误差控制，粒子仿真技术在真空电子器件领域的具体应用等问题展开了热烈的讨论。

　　本次讲座由发展规划与学科建设处主办，电子科学与工程学院承办。