成电讲堂

　　5月20日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员应邀做客人力资源部教师发展中心“学术沙龙活动”，为广大师生们带来题为“Near-infrared and mid-infrared broadband semiconductor light sources towards Optical Coherence Tomography Imaging”的报告，分享了他和团队在红外光源取得的突破进展。本次学者论坛由基础与前沿研究院巫江教授主持，相关研究领域的老师和学生们参加了讲座。

　　张子旸介绍了相关的研究背景，他说，半导体超辐射宽谱光源是一种利用放大的自发辐射的非相干光源，兼具了激光器的高功率和发光二极管的宽光谱特性，是众多非相干光学系统的理想核心光源。光学相干层析成像（OCT）技术是一种具有高分辨率、非接触式、无辐射损伤等诸多优点的生物医学成像技术，它的应用、升级换代强烈地依赖于其核心光源的发展水平。

　　针对缺乏合适的室温连续工作的中红外宽谱光源的问题，他和团队采用了调制P型掺杂的多层量子点结构大幅提高了材料的增益，并在此基础上制备了近红外1.2 μm波段“J”型波导结构的超辐射宽谱光源芯片，这一结果克服了光谱宽度与输出功率相互制约的难题。该芯片室温连续输出功率超过20 mW、同时光谱宽度达到134 nm，是目前该领域国际最好结果之一。在中红外波段，成功实现了国际上第一块室温连续工作的量子级联超辐射宽谱光源芯片，填补了中红外波段室温连续工作半导体宽谱光源的空白。

　　最后，他对该项成果在应用研究方面进行了总结，认为这项工作具备高功率和宽光谱的近红外超辐射宽谱光源芯片的获得，为近红外非相干光学系统提供了理想的核心光源。超辐射宽谱光源被广泛应用于众多非相干光学系统中，如光纤陀螺仪（FOG）、波分复用（WDM）系统、OCT系统等。特别是对于OCT系统而言，这些研究成果为提高近红外OCT系统的性能、实现多年前理论预言的中红外OCT系统奠定了材料及器件基础。

　　报告结束后，张子旸对在场师生提出的问题进行了逐一解答并与大家进行深度交流研讨。他表示，这次到电子科技大学进行交流领略到了成电一流的科研实力和水平，希望以后能够与成电进行合作。

　　本次学术沙龙由学校人力资源部教师发展中心主办，基础与前沿研究院承办。

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　　张子旸，中科院苏州纳米所研究员、博士生导师。博士毕业于中科院半导体所，毕业后先后在日本东京工业大学、加拿大阿尔伯塔大学和英国国家三五族半导体中心工作，主要从事半导体材料和发光器件的研究工作，期间曾获“Japan Science and Technology”研究员称号、荣获了加拿大阿尔伯塔杰出研究基金--“Alberta Ingenuity Fellowship”。回国后入选了江苏省创新创业人才、苏州园区海外高层次领军人才、苏州园区科技领军人才、江苏省六大人才高峰计划、江苏省333高层次人才等。主要从事半导体材料和光电子器件、器件集成方面的研究工作。在“Advances in Optics and Photonics”，“Scientific Reports”，APL，OL，OE， IEEE PTL等杂志上发表多篇文章。