科研学术

　　5月25日至5月30日，IEEE电路与系统国际研讨会（IEEE International Symposium on Circuits and Systems）在日本札幌举行。我校航空航天学院毕闯副教授发表会议论文（Prediction of Electromagnetic Interference Noise in SiC MOSFET Module），毕闯副教授为该论文第一作者，电子科技大学为该论文第一作者单位。同时，该论文被推荐到IEEE期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs，经过严格评审，已经发表为期刊论文。毕闯副教授在大会上宣读论文。

　　碳化硅（Silicon carbide，SiC）作为市场上最成熟的宽禁带半导体材料，正受到越来越多地关注，基于碳化硅材料的电力电子器件成为国际研究热点。碳化硅MOSFET在开关过程中产生非常高的电流和电压变化率，即非常高的di/dt与du/dt，它们通过电路中寄生电感和寄生电容产生强烈的瞬态电磁噪声。建立碳化硅MOSFET的精准开关行为模型，分析其电磁干扰特性，研究碳化硅器件产生传导和辐射电磁干扰的机理，不仅具有非常高的学术价值，而且对于工业生产应用具有重要的指导意义。

　　毕闯博士毕业于爱尔兰都柏林大学电路与系统专业，电子科技大学-重庆长安汽车股份有限公司联合培养企业博士后，是电子科技大学电动汽车动力系统与安全技术研究所电磁兼容方向负责人，被聘为重庆汽车智能智造与检测产业技术研究院特聘专家，目前主要研究方向为机电复合系统电磁兼容技术。近年来主持和主研国家重点研发计划、中国博士后基金，装备预研基金，四川省科技支撑计划项目，四川省国际交流合作项目等；主持和主研了中车株洲电力机车研究所有限公司、许继电气有限责任公司等多项电磁兼容相关的企业项目。已独立或合作发表SCI/EI论文20余篇；授权发明专利11项、授权实用新型专利1项、申报发明专利7项。

　　ISCAS是电路与系统领域世界顶级的国际会议，主要为电路与系统的理论、设计和应用等领域的研究人员服务。ISCAS是IEEE电路与系统学会的旗舰会议，旨在将其多学科团体聚集在一起，包括模拟和数字电路与系统、纳米技术、传感器、非线性系统、生物系统、神经系统、信号处理和通信技术。

　　论文链接：https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8681650