封面新闻：又一位院士离开了我们中国科学院院士陈星弼逝世电子科技大学成电新闻网

分享到微信 ×

打开微信“扫一扫”
即可将网页分享至朋友圈

封面新闻：又一位院士离开了我们中国科学院院士陈星弼逝世

文：封面新闻来源：社会媒体时间：2019-12-05 2293

　　我国功率半导体领域的领路人、九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，12月4日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。

　　陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。

　　陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。陈星弼曾获得诸多荣誉，包括国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

报道链接：

https://m.thecover.cn/news_details.htmlfrom=androidapp&id=3130341&userId=NzAwNzY=z