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光明日报：陈星弼院士逝世

文：光明日报来源：社会媒体时间：2019-12-08 2841

12月5日电九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于2019年12月4日在四川成都逝世，享年89岁。

　　陈星弼，1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。

　　陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。

　　陈星弼曾获得诸多荣誉，包括国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

报道链接：http://epaper.gmw.cn/gmrb/html/2019-12/06/nw.D110000gmrb_20191206_8-04.htm