学　术

　　为进一步推动我校学科交叉与融合，促进科研合作与创新，营造开放合作的学术交流氛围，人力资源部教师发展中心开设“前沿交叉学术论坛”，定期邀请校内外专家学者围绕交叉学科领域国际学术前沿、热点研究方向及相关科研合作等方面内容开展系列学术讲座，并与我校师生开展学术研讨和交流。

　　本期活动特邀中国科学院院士彭练矛与大家进行深入交流和探讨。具体事宜如下，欢迎广大师生积极参会！

　　一、题　目：国际半导体技术发展趋势与中国的碳基机遇

　　二、主讲人：彭练矛（中国科学院院士、北京大学教授）

　　三、时　间：2021年5月17日（周一）9:00-12:30

　　四、地　点：清水河校区四号科研楼C区302室  

　　五、线上参与方式：

　　腾讯会议 会议ID：339906216

　　六、报告摘要：

　　随着硅基微电子器件尺度进入深亚微米后，后摩尔时代非硅电子学的发展备受瞩目。国际半导体技术路线图（ITRS）委员会2005年明确指出硅基CMOS技术将在2020年左右达到其性能的绝对极限。面向后摩尔时代，北京大学于1999年组建了碳基纳电子材料与器件研究团队。经过近二十年的努力，该团队在碳基电子器件相关材料和制备工艺的研究中取得系列突破，基本解决了ITRS给出的碳管材料挑战，发展了一整套碳管CMOS集成电路和光电器件的制备新技术，成为下一代信息处理技术强有力的竞争者；其核心为放弃掺杂，通过控制电极材料达到选择性地向晶体管注入电子或空穴，实现晶体管极性的控制，并首次制备出高性能对称碳管CMOS电路。2017年，首次基于碳管实现了栅长为5纳米的CMOS器件，证明器件在本征性能和功耗综合指标上相对硅基器件具有10倍以上的综合优势，并接近由量子测不准原理决定的电子器件理论极限。

　　七、嘉宾简介：

　　彭练矛，北京大学教授，中国科学院院士，首届国家杰出青年基金获得者。1982年毕业于北京大学无线电电子学系，1983年通过李政道先生主持的CUSPEA计划赴美, 于亚利桑那州立大学美国高分辨电子显微学中心师从J.M. Cowley教授, 1988年获博士学位，1989年至英国牛津大学任M.J. Whelan 教授的研究助手，1990年被选为牛津大学Glasstone Fellow，国际电子显微学会联合会Presidential Scholar。主要研究领域为纳米结构、物性和相关器件，四次担任国家973计划和重点研发计划项目首席科学家，发表论文400余篇，被引20000余次。相关工作分获2010年度和2016年度国家自然科学二等奖；2000年度和2017年度“中国高等学校十大科技进展”；2000年度“中国基础科学研究十大新闻”和2011年度“中国科学十大进展”；全国科技创中心2018年度重大标志性原创成果；13次被写入《国际半导体技术发展路线图》，为我国在此高技术领域抢占一席之地做出了重大贡献。

　　八、主办单位：人力资源部教师发展中心

　　　　承办单位：基础与前沿研究院

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　人力资源部教师发展中心

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2021年5月13日