成电讲堂

　　5月17日，由人力资源部教师发展中心主办、基础与前沿研究院承办的第九期前沿交叉学术论坛举行。中国科学院院士、北京大学教授彭练矛作为主讲嘉宾，以“国际半导体技术发展趋势与中国的碳基机遇”为题为师生带来精彩的学术报告。论坛由基础与前沿研究院张妍宁教授主持。人力资源部教师发展中心主任罗小蓉以及相关专业师生参加。

　　彭练矛院士首先回顾了全球半导体产业的发展现状与面临的问题。他指出，在传统芯片制造工艺进入5nm节点，制程逼近2nm时，传统的硅基芯片材料的潜力已基本被挖掘殆尽，无法满足行业未来进一步发展的需要，启用新材料是公认的从根本上解决芯片性能问题的出路。人们积极探索不同工艺不同材料的新型集成电路电子器件，从早期的平面晶体场工艺，到Fin-FET，再到GGA-FET。工艺的提升已经很难带来器件性能的提升，因此以碳纳米管为基础碳基电子器件，成为下一代电子器件的候选材料。在讲座中，彭练矛院士讲述了国际及国内碳基纳米点器件的发展，生动形象地描绘了碳纳米材料基础与产业发展的蓝图。

　　在谈及国内碳基材料的发展时，彭练矛院士指出碳基技术有望对国际现有半导体产业格局进行产业结构的改变，突破传统硅基电子器件的限制与束缚。我国应抓住这一历史机遇，从材料开始，总结过往经验，通过发展碳基芯片，实现中国芯的弯道超车。现有研究已经从科学和技术角度，证明碳基集成电路拥有超越硅基的无限潜力，亟待解决的则是产业领域的工程性问题，实现技术的落地与实用化。

　　在交流环节，彭练矛院士与参会师生就“碳基材料发展的趋势及方向”“低维碳基材料的寄生电容”等问题进行了交流与探讨。

　　会后，罗小蓉为彭练矛院士颁发了前沿交叉学术论坛主讲人纪念品。

　　本次论坛由人力资源部教师发展中心主办，基础与前沿研究院承办。

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　　彭练矛，中国科学院院士，北京大学教授。1982年毕业于北京大学无线电电子学系，获学士学位；1988年毕业于亚利桑那州立大学，获博士学位。1988年5至12月任奥斯陆大学客座科学家；1989年1月至1994年12月任牛津大学研究助理、Glasstone研究员；1994年12月至1999年4月任中国科学院物理研究所研究员。2019年11月当选为中国科学院技术科学部院士。现为北京大学信息科学技术学院电子学系教授、系主任。1994年获首批国家杰出青年科学基金资助。

　　长期从事碳基电子学领域的研究，做出一系列基础性和开拓性贡献。四次担任国家“973计划”、重大科学研究计划和重点研发计划项目首席科学家。发展了一整套碳纳米管CMOS集成电路和光电器件的无掺杂制备新技术，首次实现5纳米栅长碳管晶体管，证明器件在本征性能和功耗综合指标上相较最先进的硅基器件具有约10倍的综合优势，性能接近由量子测不准原理决定的理论极限，制备新型超低功耗狄拉克源晶体管，为超低功耗纳米电子学的发展奠定基础，极大推进了碳基集成电路的竞争力和实用化发展。在《科学》等期刊发表SCI论文400余篇。相关成果获国家自然科学二等奖（2010和2016年）、高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）自然科学一等奖（2013年）、北京市科学技术一等奖（2004年），入选中国科学十大进展（2011年）、中国高等学校十大科技进展（2000和2017年）、中国基础科学研究十大新闻（2000年）。个人获何梁何利基金科学与技术进步奖（2018年）、全国创新争先奖（2017年）、推动“北京创造”的十大科技人物（2015年）、全国优秀博士学位论文指导教师（2009年）、北京大学首届十佳导师（2013年）等荣誉。

　　为进一步推动我校学科交叉与融合，促进科研合作与创新，营造开放合作的学术交流氛围，人力资源部教师发展中心开设“前沿交叉学术论坛”，定期邀请校内外专家学者围绕交叉学科领域国际学术前沿、热点研究方向及相关科研合作等方面内容开展系列学术讲座，并与全校师生开展学术研讨和交流。