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近日，由美国科技智库《麻省理工科技评论》遴选的中国创新青年英雄榜——“35 岁以下科技创新 35 人”（Innovators Under 35，简称 TR35）出炉，电子学院王成教授入选该榜单。
自 1999 年起，《麻省理工科技评论》每年都会从世界范围内的新兴科技和创新应用中对 35 岁以下、且对未来科技发展产生深远影响的创新领军人物进行遴选，最终形成一份全球创新青年英雄榜——“35 岁以下科技创新 35 人”（Innovators Under 35，简称 TR35）。2017年，《麻省理工科技评论》TR35 评选首次落地中国，专注于挖掘新兴科技创新领域的中国青年力量。
王成教授因其挑战量子精密测量的技术极限，进一步推动量子时间传感器和低温CMOS量子测控芯片等原始创新产品发展而入选。
王成主要研究的是量子信息技术（量子传感和量子测控）和先进的CMOS集成电路相结合的前沿交叉领域，推动量子算法、量子硬件和量子模拟等量子信息科学前言领域进步。2018 年，他首次提出并实现了原始创新成果芯片级分子时钟（Chip-Scale Molecular Clock，CSMC）。这一成果以硫化羰分子旋转谱线频率为参考，以高集成度的CMOS波谱探测片上系统级芯片为基础，是一种原创的高稳性、可大规模部署的小型化时间基准。2020 年，第二代芯片级分子时钟在 IC 领域旗舰会议国际固态电路会议（ISSCC）上发表，并进行了现场技术展示。2022年6月23日，第三代芯片级分子时钟亮相集成电路领域重要会议RFIC，受到广泛关注。目前，该技术已经完成两代实验室级和三代芯片级原型，正迈向实用化部署。
此外，王成与其所在的集成物理研究组在低温CMOS集成电路领域也取得了重要进展。他们率先在中国开展了工作在液氦温区（1~4K）的CMOS集成电路芯片研究。截至目前，该研究组已经完成了多轮次的低温CMOS集成电路流片，并于2022年1月成功实现了国内首个低温CMOS集成电路芯片的低温测试，包括参数分频器、高精度数字-电压转换器和锁相环频率源等。
在2023年3月举行的ISSCC 2023 上，王成课题组展示了具备202.3dBc/Hz Figure-of-Merit（FoM）的4K压控振荡器VCO，创造了主流CMOS工艺VCO FoM的新纪录。目前，王成团队正致力于在2-3年时间内，实现国际上首个千比特规模的低温CMOS阵列测控阵列芯片。
王成教授，电子科学与工程学院教授，博士生导师，所提出的芯片级分子时钟作为封面文章发表于2018年7月的Nature子刊Nature Electronics，并被MIT新闻等媒体报道。在有着集成电路领域国际奥林匹克之称的国际固态电路会议(ISSCC)上发表4篇论文，在领域旗舰刊物IEEE固态电路杂志(JSSC)发表6篇论文。截止2023年2月，共发表学术论文51篇，其中一作22篇，Google scholar引用达1016次，H-index为17，i10-index为26。获得1项美国专利授权，并申请2项美国专利。国内学习工作期间（2008-2015年），主要从事高速通信技术、成像及毫米波/太赫兹高频组件研究，曾获得省部级一等奖和邓稼先青年科学家奖等奖项，研究成果曾参加十一五863重大科技成果展。
榜单链接：https://mp.weixin.qq.com/s/nAg_r7LleSzr0dvbbzKUwQ
编辑：李果 / 审核：李果 / 发布：陈伟
