科研学术

　　近日，第36届国际功率半导体器件与集成电路会议（ISPSD，The 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）在德国不莱梅召开，本次大会汇聚了来自全球功率半导体领域的最新优秀科研成果，共录用了141篇高质量论文，全面展示了全球功率半导体技术最新研究进展。电子科技大学集成电路学院功率集成技术实验室（PITeL）在这场功率学术盛会中再次成为焦点，以全球占比12%的发文量（总计17篇论文，其中电子科技大学牵头发表15篇论文，含3篇Oral报告和12篇Poster论文）脱颖而出，再次夺得了团队发表论文数量全球第一。这是实验室自2013年以来第8次获此殊荣，充分彰显了PIteL在功率半导体研究领域的深厚实力和持续领先地位。　

功率集成技术实验室18名师生参加第36届IEEE ISPSD国际会议

　　实验室入选的17篇论文研究内容广泛而深入，涵盖了碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、高压器件（HV）、低压功率器件与功率IC技术（LVT）和功率集成电路设计（ICD）等多个研究方向。这些研究深入探讨了硅基/宽禁带器件、功率集成技术、功率IC、可靠性及器件模型等核心议题，充分体现了PITeL作为“功率半导体领域研究最为全面的学术团队”的研究特色和学术底蕴。实验室坚持做“顶天立地”的科研，将学术与产业深度融合，所发表成果中5项技术已在企业实现大规模量产。

功率集成技术实验室3篇oral报告

功率集成技术实验室13篇Poster报告

　　特别值得一提的是，在功率集成电路设计（ICD）方向，全球仅有2篇oral入选，全部为功率集成技术实验室牵头发表成果。赖荣兴博士发表的“ A Quad-Slope Smart Gate Driver with Mixed-Signal Auto-Timing Technique for Power Devices Segment Control”，首创性地提出数模混合分段技术，具备自动分段点追踪能力，可有效地适应器件性能漂移以及一致性不均匀问题，实现了对功率器件开关过程共模噪声的精确控制以及降低25%以上的开关损耗。庄春旺博士发表的“An Integrated Low Power Enhanced Pull-Up GaN Driver Using SenseHEMT for Reliable and Fast Short-Circuit Protection”，基于0.25微米 GaN-on-Silicon 工艺，设计了一款低功耗具有快速短路响应能力的单片全集成GaN驱动电路。利用low-power enhanced pull-up (LPEP) technique技术，在解决单片集成GaN驱动器上拉能力弱问题的同时，实现了低的驱动器功耗。

功率集成技术实验室报道的两款功率IC芯片

　　ISPSD作为功率半导体领域的国际顶级学术会议，素有领域“奥林匹克”之称。此次会议吸引了全球400余名学者和工程技术人员参与，为国内外功率半导体行业提供了一个宝贵的交流平台。电子科技大学功率集成技术实验室18名老师同学参加了此次大会，与全球同行共同探讨和分享功率半导体的最新成果。

　　功率半导体作为电子科技大学集成电路领域的特色学科，也是电子薄膜与集成器件全国重点实验室的三大主要学术研究方向之一，为电子科技大学集成电路研究中心的重要组成部分。此次会议上，功率集成技术实验室的卓越表现，不仅提升了电子科技大学在国际学术界的声誉，也为我国功率半导体技术的发展增光添彩。未来，学院期待功率集成技术实验室能够继续保持其领先地位，为全球功率半导体技术进步贡献更多的中国智慧和中国方案。