基础院刘奥教授团队、王曾晖教授团队获2024年度川渝科技学术优秀论文奖电子科技大学成电新闻网

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基础院刘奥教授团队、王曾晖教授团队获2024年度川渝科技学术优秀论文奖

文：基础与前沿研究院图：基础与前沿研究院来源：基础与前沿研究院时间：2025-01-10 546

　　近日，2024年度川渝科学技术大会优秀论文评选结果揭晓，基础与前沿研究院刘奥教授团队荣获优秀论文一等奖、王曾晖教授团队荣获优秀论文三等奖。

　　刘奥教授团队于国际一流期刊《Nature》发表论文“Selenium alloyed tellurium oxide for amorphous p-channel transistors”。该论文该项研究首创高迁移率稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈，将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。

　　王曾晖教授团队在物理学期刊《Reports on Progress in Physics》发表论文“Quantitative regulation of electron-phonon coupling”。该研究结果提供了一种量化调控电声耦合作用的方法，并为进一步探索和设计具有特定电声耦合作用强度的功能材料奠定了基础。

　　2024年，四川省科学技术协会和重庆市科学技术协会共同组织开展了年度川渝科技学术优秀论文、年度川渝最具影响力学术活动、年度川渝一流学会和年度川渝一流科技期刊评选活动。经自愿申报、专家评审，共评选出2024年度川渝科技学术优秀论文184篇、最具影响力学术活动20个、一流学会20个、一流科技期刊20个。