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成电讲坛 | 美国国家工程院院士刘纪美：万能的III-V族化合物半导体

文：程瑶来源：大学生文化素质教育中心时间：2025-02-25 256

成电讲坛 “ 人文·科学 ” 系列讲座

主题：万能的III-V族化合物半导

主讲：刘纪美（香港科技大学研究教授，美国国家工程院院士）

时间：2月27日（周四）16:30-18:30

地点：清水河校区经管楼报告厅

主办：大学生文化素质教育中心

讲座简介：

GaAs/InP和相关材料以及III族氮化物是用于除CMOS逻辑之外的大多数高性能器件应用的化合物半导体。光电、高频（RF到THz）和电力电子以III-V族化合物半导体为主。刘纪美教授将围绕相关材料和器件的发展前景展开讨论。

主讲人简介：

刘纪美，香港科技大学研究教授，美国国家工程院院士，电气电子工程师学会（IEEE）会士，美国光学学会会士，香港工程科学院院士。刘教授长期致力于化合物半导体材料与器件的研究。曾获得美国科学基金会杰出女科学家与工程师奖、香港裘槎优秀科研者奖、IEEE光电学会Aron Kressel奖、尼克·何伦亚克奖、英国工程技术学会约瑟夫·约翰·汤姆逊电子学奖章、《旭茉JESSICA》杂志“成功女性奖”、IPRM奖。

参与方式：

学院领票

注意事项：

1. 现场签到时，需在扫码后点击“签到”选项，待显示“签到成功”才视为完成一次签到。

2. 讲座后，出勤数据将于1—2个工作日内在【工作台-校内查询】更新。如有任何疑问，欢迎在【飞书-消息，搜索“成电讲坛服务台”】进行留言。详见飞书【工作台 - 校内查询】-【成电讲坛】

3. 请最晚于讲座开始前五分钟进入现场。