基础院2位教授在第三届芯片大会暨Chip 2024中国芯片科学十大进展颁奖典礼上获奖电子科技大学成电新闻网

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基础院2位教授在第三届芯片大会暨Chip 2024中国芯片科学十大进展颁奖典礼上获奖

文：基础与前沿研究院图：基础与前沿研究院来源：基础与前沿研究院时间：2025-10-17 618

　　10月15日，第三届芯片大会暨Chip 2024中国芯片科学十大进展颁奖典礼在深圳举行，基础与前沿研究院刘奥教授的研究成果“新型非晶P型半导体薄膜晶体管与CMOS集成“入选“Chip 2024中国芯片科学十大进展”，王曾晖教授入选“2024年度优秀编委”。

面向下一代芯片制程的非晶半导体研发与薄膜电子器件集成

　　开发高性能且稳定的P型半导体材料与器件，是推动新一代CMOS技术发展的关键。然而，受限于材料本征特性、载流子输运机理及工艺集成复杂性，尤其在非晶体系中，长期未能实现稳定高效的P型导电通道。刘奥团队突破这一瓶颈，构建了碲基半金属复合氧化物体系，实现可控空穴掺杂与高迁移率传输，在低温条件下制备出性能优异、工艺兼容的P型晶体管，并成功实现全氧化物CMOS电路集成。这一成果在科学上回答了“如何在非晶体系中获得稳定P型导电通道”的关键问题，在应用上则开辟了柔性、低成本、大面积兼容的芯片新路径，为柔性显示、可穿戴电子与人工智能感知系统等提供了重要支撑，标志着我国在新型半导体材料与芯片技术领域取得了原创性突破。系列成果相继发表于Nature、Science Advances等国际顶级期刊，引发业界广泛关注，并在3D集成、CFET架构、神经形态与存储器件及探测器等方向得到迅速拓展应用。

　　成果原文：https://www.nature.com/articles/s41586-024-07360-w